Solution of the Semiconductor-Device Equations by the Numerov Process
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the effect of keeping reflective journals by language instructors on the process of reading comprehension among iranian high school students
خواندن ودرک مطلب از مهمترین مهارتها در یادگیری زبان خارجی محسوب می شود. این تحقیق تاثیر برگه های تامل برانگیز هدایت شده را در ارتقاع مهارت خواندن ودر ک مطلب در دانش اموزان دبیرستانی ایرانی بررسی می نماید. ازمجموع ?2 دانش آموز سال چهارم دبیرستان شهید رجایی شهرستان اسلامشهر¸ پس از اجرای آزمون استاندارد ((nelson 150a تعداد 39 دانش آموز که نمرات آنها یک سطح انحراف معیار بالاتر یا پایین تر ازمعدل قر...
existence and approximate $l^{p}$ and continuous solution of nonlinear integral equations of the hammerstein and volterra types
بسیاری از پدیده ها در جهان ما اساساً غیرخطی هستند، و توسط معادلات غیرخطی بیان شده اند. از آنجا که ظهور کامپیوترهای رقمی با عملکرد بالا، حل مسایل خطی را آسان تر می کند. با این حال، به طور کلی به دست آوردن جوابهای دقیق از مسایل غیرخطی دشوار است. روش عددی، به طور کلی محاسبه پیچیده مسایل غیرخطی را اداره می کند. با این حال، دادن نقاط به یک منحنی و به دست آوردن منحنی کامل که اغلب پرهزینه و ...
15 صفحه اولstudy of cohesive devices in the textbook of english for the students of apsychology by rastegarpour
this study investigates the cohesive devices used in the textbook of english for the students of psychology. the research questions and hypotheses in the present study are based on what frequency and distribution of grammatical and lexical cohesive devices are. then, to answer the questions all grammatical and lexical cohesive devices in reading comprehension passages from 6 units of 21units th...
control of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولSemiconductor Device Simulation by a New Method of Solving Poisson, Laplace and Schrodinger Equations (RESEARCH NOTE)
In this paper, we have extended and completed our previous work, that was introducing a new method for finite differentiation. We show the applicability of the method for solving a wide variety of equations such as Poisson, Lap lace and Schrodinger. These equations are fundamental to the most semiconductor device simulators. In a section, we solve the Shordinger equation by this method in sever...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Advances in Science, Technology and Engineering Systems Journal
سال: 2020
ISSN: 2415-6698,2415-6698
DOI: 10.25046/aj0506171